氧化亞硅半連續(xù)氣相沉積真空爐

應用領域：氧化亞硅半連續(xù)量產(chǎn)
詳細產(chǎn)品工藝描述及工藝參數(shù)請進入產(chǎn)品詳細信息

分類：

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應用領域：氧化亞硅半連續(xù)量產(chǎn)

工藝描述：高真空脫氧，氣相沉積，自動研磨刮料、爐外收集?？膳銩GV智能物流車

型號	裝料尺寸	裝載量	工作溫度	極限溫度	真空度	總功率	氣氛類別	工藝時長	設備重量
MGB150-130VH	Φ1500X1300	2.5T	1350℃	1600℃	0.5-2.5Pa	280KW	Ar/N2	24H	21.5T

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高溫低壓 CVD/CVI 爐

高溫低壓 CVD 爐提供穩(wěn)定、可重復的條件，用于從氣相原料生產(chǎn)高性能材料，反應溫度高達 2200°C。我們的 CVD(化學氣相沉積)和 CVI(化學氣相滲透)爐設計用于處理各種材料的沉積和滲透，包括碳化硅、熱解碳和氮化硼，每種材料都具有適合不同工業(yè)應用的特定特性。

化學氣相沉積 CVD 爐的特征

冷壁真空爐設計采用不銹鋼內(nèi)外夾套，并帶有擋板水冷，方便裝卸。
石墨電阻加熱熱區(qū)可承受惡劣的 CVD 環(huán)境。
感應加熱適用于碳 CVI 應用或超高溫度。
根據(jù)工件的尺寸、形狀和數(shù)量，可提供垂直頂部和底部裝載爐以及水平矩形配置。
采用先進的感應加熱電源，最高溫度可達 2900°C。電阻加熱系統(tǒng)適用于較低溫度。
真空泵系統(tǒng)包括機械泵/鼓風機，以及可選的液環(huán)或干式泵系統(tǒng)，它們與反饋回路控制的節(jié)流閥配合使用，可在很寬的容量范圍內(nèi)提供恒定的壓力。微粒過濾器可防止磨損。
帶有工業(yè)可編程控制器的 PLC 或 PC 系統(tǒng)，使用 Centorr/Vacuum Industries 為真空爐定制的 Rockwell Factory Talk View 軟件，具有廣泛的數(shù)據(jù)采集和遠程操作功能。
采用電子質(zhì)量流量控制的惰性氣體和工藝氣體系統(tǒng)為關(guān)鍵 CVD 應用提供準確性、可重復性和靈活性。多個噴嘴位置允許根據(jù)工作量調(diào)整流動模式。
光學高溫計可最大程度地減少熱電偶暴露。耐腐蝕加熱壓力計提供絕對壓力傳感，不受氣體成分的影響。